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2STBN15D100

2STBN15D100

참조 용

부품 번호 2STBN15D100
PNEDA 부품 번호 2STBN15D100
설명 TRANS NPN DARL 100V 12A D2PAK
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 48,876
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 28 - 2월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2STBN15D100 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2STBN15D100
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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2STBN15D100 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)12A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.3V @ 4mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대)100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce750 @ 3A, 3V
전력-최대70W
주파수-전환-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

350V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 1.67A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

6 @ 10A, 3V

전력-최대

5.5W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

전류-수집기 차단 (최대)

250nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 30mA, 10V

전력-최대

625mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

350 @ 1mA, 6V

전력-최대

250mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

공급자 장치 패키지

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JANTXV2N3055

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

70V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 3.3A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 4V

전력-최대

6W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 10mA, 5V

전력-최대

800mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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