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301UR100 G BK G

301UR100      G BK G

참조 용

부품 번호 301UR100 G BK G
PNEDA 부품 번호 301UR100-G-BK-G
설명 DIODE GEN PURP 1KV 300A DO205
제조업체 Vishay Semiconductor Opto Division
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301UR100 G BK G 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Opto Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호301UR100 G BK G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
301UR100 G BK G, 301UR100 G BK G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 93.38 KB)
PDF301UR140     G BK BL 데이터 시트 표지
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301UR100 G BK G 사양

제조업체Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1000V
전류-평균 정류 (Io)300A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.22V @ 942A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr15mA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-205AB, DO-9, Stud
공급자 장치 패키지DO-205AB, DO-9
작동 온도-접합-40°C ~ 180°C

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Micro Commercial Co

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 40V

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

150pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

R6, Axial

공급자 장치 패키지

R-6

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

MBR1635-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

630mV @ 16A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

VS-20ETF06THM3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

SS25L RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SF64GHR0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

975mV @ 6A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

100pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

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작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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