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3LP01C-TB-H

3LP01C-TB-H

참조 용

부품 번호 3LP01C-TB-H
PNEDA 부품 번호 3LP01C-TB-H
설명 MOSFET P-CH 30V 100MA CP
제조업체 ON Semiconductor
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3LP01C-TB-H 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호3LP01C-TB-H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
3LP01C-TB-H, 3LP01C-TB-H 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 253.58 KB)
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  • 3LP01C-TB-H Distributor

3LP01C-TB-H 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs10.4Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.43nC @ 10V
Vgs (최대)±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7.5pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)250mW (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지3-CP
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.3Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

450pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

40W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220FM

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

CTLDM8002A-M621 BK

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

280mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.72nC @ 4.5V

Vgs (최대)

20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

70pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

900mW (Ta)

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TLM621

패키지 / 케이스

6-PowerVFDFN

IRF6216PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

240mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

49nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1280pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

BSP126,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

375mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5Ohm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

120pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1460pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

75W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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