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3N257-5410E4/51

3N257-5410E4/51

참조 용

부품 번호 3N257-5410E4/51
PNEDA 부품 번호 3N257-5410E4-51
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 2,772
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3N257-5410E4/51 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호3N257-5410E4/51
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
3N257-5410E4/51, 3N257-5410E4/51 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 85.2 KB)
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3N257-5410E4/51 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 3.14A
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 600V
작동 온도-55°C ~ 165°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, KBPM
공급자 장치 패키지KBPM

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25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.19V @ 10A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1800V

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 30A

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 600V

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-EDIP (0.321", 8.15mm)

공급자 장치 패키지

DB-1

KBP2005-BP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

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Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 2A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBPR

공급자 장치 패키지

KBPR

BU20105S-M3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Single Phase

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전압-피크 역방향 (최대)

1kV

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20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 10A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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