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50MT060WH

50MT060WH

참조 용

부품 번호 50MT060WH
PNEDA 부품 번호 50MT060WH
설명 IGBT WARP 600V 114A MTP
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 8,190
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예상 배송 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

50MT060WH 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호50MT060WH
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
50MT060WH, 50MT060WH 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 62.06 KB)
PDF50MT060WH 데이터 시트 표지
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50MT060WH 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
IGBT 유형PT
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)114A
전력-최대658W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대)400µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce7.1nF @ 30V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스12-MTP Module
공급자 장치 패키지12-MTP

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전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

1130W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

POWIR® 62 Module

공급자 장치 패키지

POWIR® 62

CM100TF-12H

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제조업체

Powerex Inc.

시리즈

IGBTMOD™

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

400W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

10nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GA100TS60SF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

PT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

220A

전력-최대

780W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.28V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

16.25nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

INT-A-Pak

공급자 장치 패키지

INT-A-PAK

BSM10GP60BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전력-최대

80W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

600pF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전력-최대

416W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 90A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

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