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5821SMGE3/TR13

5821SMGE3/TR13

참조 용

부품 번호 5821SMGE3/TR13
PNEDA 부품 번호 5821SMGE3-TR13
설명 DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO215AB
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,246
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5821SMGE3/TR13 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호5821SMGE3/TR13
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
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5821SMGE3/TR13 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If480mV @ 3A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr1.5mA @ 30V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-215AB, SMC Gull Wing
공급자 장치 패키지DO-215AB
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

TS-1

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

TS-1

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

450mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

180pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

Mini3-G1

작동 온도-접합

125°C (Max)

ES1FLHMHG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SICRD5650TR

SMC Diode Solutions

제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 5A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

60µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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