5HP01C-TB-H
참조 용
| 부품 번호 | 5HP01C-TB-H |
| PNEDA 부품 번호 | 5HP01C-TB-H |
| 설명 | MOSFET P-CH 50V 70MA SMD |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,636 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 27 - 5월 2 (신속 배송 선택) |
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5HP01C-TB-H 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 5HP01C-TB-H |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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5HP01C-TB-H 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | - |
| 기술 | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| Vgs (최대) | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 3-CP |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 180A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V, 15V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3mOhm @ 15V, 50A Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 95nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6950pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.1W (Ta), 200W (Tc) 작동 온도 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220-3 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 160mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.61nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 225pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 14.9W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-252-4L 패키지 / 케이스 TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 19A (Ta), 71A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1000pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.6W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 4-LFPAK 패키지 / 케이스 SOT-1023, 4-LFPAK |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A (Ta), 34A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 10mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 33.5nC @ 10V Vgs (최대) ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1925pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerDI3333-8 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 234nC @ 10V Vgs (최대) ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 15450pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 306W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
