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60099H

60099H

참조 용

부품 번호 60099H
PNEDA 부품 번호 60099H
설명 RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,354
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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60099H 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호60099H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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60099H 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
주파수-전환-
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
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전류-수집기 (Ic) (최대)

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작동 온도

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장착 유형

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전력-최대

1.5W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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작동 온도

200°C (TJ)

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패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

4.7V

주파수-전환

45GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz

이득

10dB ~ 29dB

전력-최대

100mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 15mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

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42126

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

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