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60099H

60099H

참조 용

부품 번호 60099H
PNEDA 부품 번호 60099H
설명 RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,354
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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60099H 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호60099H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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60099H 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
주파수-전환-
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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12V

주파수-전환

10GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

이득

17dB

전력-최대

450mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

SC-82FL/MCPH4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

75V

주파수-전환

3.1GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

10dB

전력-최대

145W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 250mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-445C

공급자 장치 패키지

CDFM2

MPS5179G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

2GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

9.2V

주파수-전환

10GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

23dB

전력-최대

1.5W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 100mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

3-PowerMiniMold

BFR 181T E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

8GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

이득

19.5dB

전력-최대

175mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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