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64010H

64010H

참조 용

부품 번호 64010H
PNEDA 부품 번호 64010H
설명 RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,156
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 28 - 3월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

64010H 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호64010H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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64010H 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
주파수-전환-
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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NPN

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20V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

3W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 110mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD (230 mil BeO)

공급자 장치 패키지

230 mil Be0

58048

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

UTV080

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

28V

주파수-전환

470MHz ~ 860MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

9dB ~ 10dB

전력-최대

65W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10 @ 500mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

2.5A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Channel, DIN Rail Mount

패키지 / 케이스

55JV

공급자 장치 패키지

55JV

75109A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

400mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 70mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

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