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68106H

68106H

참조 용

부품 번호 68106H
PNEDA 부품 번호 68106H
설명 RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,398
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 5 - 3월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

68106H 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호68106H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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68106H 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
주파수-전환-
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

6dB @ 200MHz

이득

24dB

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 5mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

8GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

이득

10dB ~ 18dB

전력-최대

500mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD (35 micro-X)

공급자 장치 패키지

35 micro-X

AT-30533-TR2G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5.5V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

이득

11dB ~ 13dB

전력-최대

100mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 2.7V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

BFR340L3E6327XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

9V

주파수-전환

14GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.15dB @ 1.8GHz

이득

17.5dB

전력-최대

60mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

90 @ 5mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-101, SOT-883

공급자 장치 패키지

PG-TSLP-3-1

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

6V

주파수-전환

14GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.6dB @ 2GHz

이득

-

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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