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6ED003L06C2X1SA1

6ED003L06C2X1SA1

참조 용

부품 번호 6ED003L06C2X1SA1
PNEDA 부품 번호 6ED003L06C2X1SA1
설명 IC GATE DVR 3-PH 600V DIE
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,820
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

6ED003L06C2X1SA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호6ED003L06C2X1SA1
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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6ED003L06C2X1SA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈EiceDriver™
구동 구성Half-Bridge
채널 유형3-Phase
드라이버 수6
게이트 유형IGBT
전압-공급13V ~ 17.5V
논리 전압-VIL, VIH1.1V, 1.7V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)-
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)600V
상승 / 하강 시간 (일반)60ns, 26ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Chip

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0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

500mA, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

30ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

IR2125S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

0V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.6A, 3.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

500V

상승 / 하강 시간 (일반)

43ns, 26ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

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ON Semiconductor

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

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드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.4A, 2.2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

TPS51604DSGR

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

0.6V, 2.65V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

34V

상승 / 하강 시간 (일반)

30ns, 8ns

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WSON (2x2)

LM5109BMAX

Texas Instruments

제조업체

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

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드라이버 수

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N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

108V

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 15ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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