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6PS04512E43W39693NOSA1

6PS04512E43W39693NOSA1

참조 용

부품 번호 6PS04512E43W39693NOSA1
PNEDA 부품 번호 6PS04512E43W39693NOSA1
설명 IGBT MODULE 500V 300A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,588
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6PS04512E43W39693NOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호6PS04512E43W39693NOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
6PS04512E43W39693NOSA1, 6PS04512E43W39693NOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 686.11 KB)
PDF6PS04512E43W39693NOSA1 데이터 시트 표지
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6PS04512E43W39693NOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전력-최대-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-25°C ~ 55°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Infineon Technologies

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

130A

전력-최대

430W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FS200R12KT4RBOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

280A

전력-최대

1000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FF100R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

780W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

650nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT30SK170T1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전력-최대

210W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

FP10R12KE3BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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