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70V659S15BF8

70V659S15BF8

참조 용

부품 번호 70V659S15BF8
PNEDA 부품 번호 70V659S15BF8
설명 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
제조업체 IDT, Integrated Device Technology
단가 견적 요청
재고 있음 7,848
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

70V659S15BF8 리소스

브랜드 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호70V659S15BF8
분류반도체메모리 IC기억

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70V659S15BF8 사양

제조업체IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간15ns
전압-공급3.15V ~ 3.45V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스208-LFBGA
공급자 장치 패키지208-CABGA (15x15)

관심을 가질만한 제품

AT49LH004-33JX

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

33MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

-

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (13.97x11.43)

SST38VF6404-90-5I-B3KE

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST38

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10µs

접근 시간

90ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-TFBGA

CY62157DV30LL-55ZSXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

MT61K512M32KPA-14:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SGRAM - GDDR6

메모리 크기

16Gb (512M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

7GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.31V ~ 1.391V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

180-TFBGA

공급자 장치 패키지

180-FBGA (12x14)

BR93G86NUX-3BTTR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (1K x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

VSON008X2030

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