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75101H

75101H

참조 용

부품 번호 75101H
PNEDA 부품 번호 75101H
설명 RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,582
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

75101H 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호75101H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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  • 75101H Price
  • 75101H Distributor

75101H 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
주파수-전환-
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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제조업체

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트랜지스터 유형

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주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

주파수-전환

1.1GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

38 @ 7mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

NE85619-A

CEL

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

4.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

이득

9dB

전력-최대

100mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 7mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-523

공급자 장치 패키지

SOT-523

2SC5088-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

7GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

이득

18dB

전력-최대

100mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 20mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

USQ

SD1015

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

18V

주파수-전환

150MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

10dB

전력-최대

10W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

35 @ 200mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

작동 온도

200°C

장착 유형

Stud Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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