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80EPS08

80EPS08

참조 용

부품 번호 80EPS08
PNEDA 부품 번호 80EPS08
설명 DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 2,358
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80EPS08 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호80EPS08
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
80EPS08, 80EPS08 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 113.62 KB)
PDFVS-80EPS08PBF 데이터 시트 표지
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80EPS08 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)800V
전류-평균 정류 (Io)80A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.17V @ 80A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AC
작동 온도-접합-40°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

350mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 200mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

10ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

70pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 700mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

PMDS

작동 온도-접합

150°C (Max)

SK35BHR5G

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

890mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

165pF @ 5V, 1MHz

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