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8EWS10S

8EWS10S

참조 용

부품 번호 8EWS10S
PNEDA 부품 번호 8EWS10S
설명 DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,384
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 28 - 5월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

8EWS10S 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호8EWS10S
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
8EWS10S, 8EWS10S 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 199.19 KB)
PDF8EWS08STRR 데이터 시트 표지
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  • 8EWS10S Distributor

8EWS10S 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1000V
전류-평균 정류 (Io)8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 8A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr50µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지D-Pak
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

20A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.35V @ 8A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

27µA @ 420V

커패시턴스 @ Vr, F

401pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

PG-TO220-2

작동 온도-접합

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

FR20A02

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제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

200ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-5

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

RS1PG-E3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-220AA

공급자 장치 패키지

DO-220AA (SMP)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

D1131SH65TXPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

6500V

전류-평균 정류 (Io)

1100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

5.6V @ 2500A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

150mA @ 6500V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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