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A2G26H281-04SR3

A2G26H281-04SR3

참조 용

부품 번호 A2G26H281-04SR3
PNEDA 부품 번호 A2G26H281-04SR3
설명 AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,084
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 20 - 4월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

A2G26H281-04SR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호A2G26H281-04SR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
A2G26H281-04SR3, A2G26H281-04SR3 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 264.4 KB)
PDFA2G26H281-04SR3 데이터 시트 표지
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A2G26H281-04SR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.496GHz ~ 2.69GHz
이득14.2dB
전압-테스트48V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트150mA
전원-출력50W
전압-정격125V
패키지 / 케이스NI-780S-4L
공급자 장치 패키지NI-780S-4L

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.62GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

7W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.805GHz ~ 1.995GHz

이득

19.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1.4µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT1275-3

공급자 장치 패키지

SOT1275-3

PD55015STR-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

14dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

5A

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

15W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

ARF460AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

40.68MHz

이득

15dB

전압-테스트

125V

전류 정격 (Amps)

14A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

-

전압-정격

500V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-247CS

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