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A2T09VD250NR1

A2T09VD250NR1

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부품 번호 A2T09VD250NR1
PNEDA 부품 번호 A2T09VD250NR1
설명 IC TRANS RF LDMOS
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,790
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

A2T09VD250NR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호A2T09VD250NR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
A2T09VD250NR1, A2T09VD250NR1 데이터 시트 (총 페이지: 19, 크기: 626.21 KB)
PDFA2T09VD250NR1 데이터 시트 표지
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A2T09VD250NR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수920MHz
이득22.5dB
전압-테스트48V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1A
전원-출력65W
전압-정격105V
패키지 / 케이스TO-270-6 Variant, Flat Leads
공급자 장치 패키지TO-270WB-6A

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STMicroelectronics

시리즈

-

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LDMOS

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이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

4A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

M250

공급자 장치 패키지

M250

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.81GHz

이득

18.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

72W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

18.4dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

38W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780-2S2L

공급자 장치 패키지

NI-780-2S2L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.81GHz

이득

17.9dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

74W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1110A

공급자 장치 패키지

NI1230-8

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

230MHz

이득

23dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1250W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

OM-1230G-4L

공급자 장치 패키지

OM-1230G-4L

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