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A2T18H160-24SR3

A2T18H160-24SR3

참조 용

부품 번호 A2T18H160-24SR3
PNEDA 부품 번호 A2T18H160-24SR3
설명 IC TRANS RF LDMOS
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,658
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

A2T18H160-24SR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호A2T18H160-24SR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
A2T18H160-24SR3, A2T18H160-24SR3 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 455.98 KB)
PDFA2T18H160-24SR3 데이터 시트 표지
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A2T18H160-24SR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수1.81GHz
이득17.9dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트400mA
전원-출력28W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-780S-4L2L
공급자 장치 패키지NI-780S-4L2L

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.88GHz

이득

17dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.6A

전원-출력

80W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-36275-8

공급자 장치 패키지

H-36275-8

제조업체

IXYS-RF

시리즈

DE

트랜지스터 유형

2 N-Channel (Dual)

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

8A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

1180W

전압-정격

1000V

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DE275

ATF-551M4-TR2

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

2GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

2.7V

전류 정격 (Amps)

100mA

소음 수치

0.5dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

14.6dBm

전압-정격

5V

패키지 / 케이스

0505 (1412 Metric)

공급자 장치 패키지

MiniPak 1412

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

920MHz ~ 960MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.8A

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.88GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

700mA

전원-출력

58W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230-4LS2L

공급자 장치 패키지

NI-1230-4LS2L

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