A2T18S160W31GSR3
참조 용
| 부품 번호 | A2T18S160W31GSR3 |
| PNEDA 부품 번호 | A2T18S160W31GSR3 |
| 설명 | IC TRANS RF LDMOS |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,518 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 26 - 1월 31 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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A2T18S160W31GSR3 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | A2T18S160W31GSR3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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A2T18S160W31GSR3 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 1.88GHz |
| 이득 | 19.9dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 1A |
| 전원-출력 | 32W |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | NI-780GS-2L2LA |
| 공급자 장치 패키지 | NI-780GS-2L2LA |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 - 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 TO-236AB (SOT23) |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 500MHz 이득 17dB 전압-테스트 12.5V 전류 정격 (Amps) 2.5A 소음 수치 - 현재-테스트 50mA 전원-출력 3W 전압-정격 40V 패키지 / 케이스 PowerSO-10 Exposed Bottom Pad 공급자 장치 패키지 10-PowerSO |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel JFET 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) 25mA 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 25V 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 TO-236AB (SOT23) |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득 13.9dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1A 전원-출력 22W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-780 공급자 장치 패키지 NI-780 |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 GaN 트랜지스터 유형 HEMT 주파수 5.5GHz ~ 5.8GHz 이득 11dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 1.5A 소음 수치 - 현재-테스트 115mA 전원-출력 15W 전압-정격 84V 패키지 / 케이스 440196 공급자 장치 패키지 440196 |
