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A2T18S160W31SR3

A2T18S160W31SR3

참조 용

부품 번호 A2T18S160W31SR3
PNEDA 부품 번호 A2T18S160W31SR3
설명 IC TRANS RF LDMOS
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,770
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 29 - 5월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

A2T18S160W31SR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호A2T18S160W31SR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
A2T18S160W31SR3, A2T18S160W31SR3 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 664.02 KB)
PDFA2T18S160W31SR3 데이터 시트 표지
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A2T18S160W31SR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.88GHz
이득19.9dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1A
전원-출력32W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-780S-2L2LA
공급자 장치 패키지NI-780S-2L2LA

관심을 가질만한 제품

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Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

3.4GHz ~ 3.6GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

20W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1121B

공급자 장치 패키지

LDMOST

CGHV1J070D-GP4

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

18GHz

이득

17dB

전압-테스트

40V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

360mA

전원-출력

70W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

16dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

49A

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

920MHz ~ 960MHz

이득

19.7dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

35W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

PTFA092201FV4XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

18.5dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.85A

전원-출력

220W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37260-2

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