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A2T18S260-12SR3

A2T18S260-12SR3

참조 용

부품 번호 A2T18S260-12SR3
PNEDA 부품 번호 A2T18S260-12SR3
설명 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,372
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 16 - 2월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

A2T18S260-12SR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호A2T18S260-12SR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
A2T18S260-12SR3, A2T18S260-12SR3 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 744.09 KB)
PDFA2T18S260-12SR3 데이터 시트 표지
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A2T18S260-12SR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.805GHz ~ 1.995GHz
이득18.9dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트1.4A
전원-출력257W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-780-2S2L
공급자 장치 패키지NI-780-2S2L

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36V

전류 정격 (Amps)

2.2A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

2W

전압-정격

75V

패키지 / 케이스

SOT-538A

공급자 장치 패키지

2-CSMD

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.4GHz

이득

17.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1000W

전압-정격

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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BLA1011-200,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.03GHz ~ 1.09GHz

이득

13dB

전압-테스트

36V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

200W

전압-정격

75V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

220MHz

이득

23.9dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

30mA

전원-출력

10W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

TO-270BA

공급자 장치 패키지

TO-270G-2

BLF189XRASU

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

500MHz

이득

26.2dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

1700W

전압-정격

135V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

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