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A2T26H165-24SR3

A2T26H165-24SR3

참조 용

부품 번호 A2T26H165-24SR3
PNEDA 부품 번호 A2T26H165-24SR3
설명 IC TRANS RF LDMOS
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,346
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 5 - 11월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

A2T26H165-24SR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호A2T26H165-24SR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
A2T26H165-24SR3, A2T26H165-24SR3 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 421.73 KB)
PDFA2T26H165-24SR3 데이터 시트 표지
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A2T26H165-24SR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수2.5GHz
이득14.7dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트400mA
전원-출력32W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-780S-4L2L
공급자 장치 패키지NI-780S-4L2L

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NXP USA Inc.

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LDMOS

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860MHz

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전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

20µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

140W

전압-정격

115V

패키지 / 케이스

NI-1230-4S

공급자 장치 패키지

NI-1230-4S

PTFA091201HL V1 R250

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

110W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

PG-64248-2

SD56120

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

860MHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

14A

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

100W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

M246

공급자 장치 패키지

M246

PTVA120501EA-V1-R0

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.2GHz ~ 1.4GHz

이득

17dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

50W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

H-36265-2

공급자 장치 패키지

H-36265-2

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.7GHz ~ 3GHz

이득

12dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

200W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

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