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A2T26H300-24SR6

A2T26H300-24SR6

참조 용

부품 번호 A2T26H300-24SR6
PNEDA 부품 번호 A2T26H300-24SR6
설명 IC TRANS RF LDMOS
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,914
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

A2T26H300-24SR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호A2T26H300-24SR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
A2T26H300-24SR6, A2T26H300-24SR6 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 488.17 KB)
PDFA2T26H300-24SR6 데이터 시트 표지
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A2T26H300-24SR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수2.5GHz
이득14.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트800mA
전원-출력60W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-1230-4LS2L
공급자 장치 패키지NI-1230-4LS2L

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전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

400MHz

이득

30dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1.3dB

현재-테스트

18mA

전원-출력

-

전압-정격

6V

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

230MHz

이득

26.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

300W

전압-정격

130V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

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