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A3T19H455W23SR6

A3T19H455W23SR6

참조 용

부품 번호 A3T19H455W23SR6
PNEDA 부품 번호 A3T19H455W23SR6
설명 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,910
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 25 - 3월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

A3T19H455W23SR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호A3T19H455W23SR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
A3T19H455W23SR6, A3T19H455W23SR6 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 383.66 KB)
PDFA3T19H455W23SR6 데이터 시트 표지
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A3T19H455W23SR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수1.93GHz ~ 1.99GHz
이득16.4dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트540mA
전원-출력81W
전압-정격65V
패키지 / 케이스ACP-1230S-4L2S
공급자 장치 패키지ACP-1230S-4L2S

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1.93GHz ~ 1.99GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

18A

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

29.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

16.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

22W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.81GHz

이득

18.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

230mA

전원-출력

18W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780-4S4

공급자 장치 패키지

NI-780-4S4

PTVA120501EAV1XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

920MHz

이득

30.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

25mA

전원-출력

9W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

TO-270-15 Variant, Flat Leads

공급자 장치 패키지

TO-270WB-15

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