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AFGB40T65SQDN

AFGB40T65SQDN

참조 용

부품 번호 AFGB40T65SQDN
PNEDA 부품 번호 AFGB40T65SQDN
설명 650V/40A FS4 IGBT TO263 A
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,100
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예상 배송 3월 28 - 4월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AFGB40T65SQDN 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AFGB40T65SQDN
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
AFGB40T65SQDN, AFGB40T65SQDN 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 265.84 KB)
PDFAFGB40T65SQDN 데이터 시트 표지
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  • AFGB40T65SQDN Distributor

AFGB40T65SQDN 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 40A
전력-최대238W
에너지 전환858µJ (on), 229µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지76nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C17.6ns/75.2ns
테스트 조건400V, 40A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)131ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D²PAK-3 (TO-263-3)

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

전력-최대

38W

에너지 전환

310µJ (on), 3.28mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

76ns/815ns

테스트 조건

480V, 8A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

28ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

RJH1CF4RDPQ-80#T2

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

156.2W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

제조업체

IXYS

시리즈

GenX4™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

460A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 110A

전력-최대

455W

에너지 전환

2.2mJ (on), 1.05mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

183nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

38ns/156ns

테스트 조건

400V, 55A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

100ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

SGP10N60AXKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 10A

전력-최대

92W

에너지 전환

320µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

52nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/178ns

테스트 조건

400V, 10A, 25Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

IM818SCCXKMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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