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AFGB40T65SQDN

AFGB40T65SQDN

참조 용

부품 번호 AFGB40T65SQDN
PNEDA 부품 번호 AFGB40T65SQDN
설명 650V/40A FS4 IGBT TO263 A
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,100
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AFGB40T65SQDN 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AFGB40T65SQDN
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
AFGB40T65SQDN, AFGB40T65SQDN 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 265.84 KB)
PDFAFGB40T65SQDN 데이터 시트 표지
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  • AFGB40T65SQDN Distributor

AFGB40T65SQDN 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 40A
전력-최대238W
에너지 전환858µJ (on), 229µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지76nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C17.6ns/75.2ns
테스트 조건400V, 40A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)131ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D²PAK-3 (TO-263-3)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

전력-최대

240W

에너지 전환

1.1mJ (on), 3.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

167nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

54ns/146ns

테스트 조건

300V, 50A, 5.9Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

FGPF120N30TU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 25A

전력-최대

60W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

112nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F

IKP08N65F5XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

18A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 8A

전력-최대

70W

에너지 전환

70µJ (on), 20µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

22nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/116ns

테스트 조건

400V, 4A, 48Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

41ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

IRGI4090PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

21A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.94V @ 15V, 30A

전력-최대

34W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

34nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/99ns

테스트 조건

240V, 11A, 10Ohm

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

RJH1CF4RDPQ-80#T2

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

156.2W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

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