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AFT05MS031GNR1

AFT05MS031GNR1

참조 용

부품 번호 AFT05MS031GNR1
PNEDA 부품 번호 AFT05MS031GNR1
설명 FET RF 40V 520MHZ TO270-2G
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,916
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 4 - 5월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AFT05MS031GNR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AFT05MS031GNR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
AFT05MS031GNR1, AFT05MS031GNR1 데이터 시트 (총 페이지: 33, 크기: 1,230.66 KB)
PDFAFT05MS031GNR1 데이터 시트 표지
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AFT05MS031GNR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수520MHz
이득17.7dB
전압-테스트13.6V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트10mA
전원-출력31W
전압-정격40V
패키지 / 케이스TO-270BA
공급자 장치 패키지TO-270-2 GULL

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전압-테스트

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소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

570W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1258-4

공급자 장치 패키지

SOT1258-4

PTFA082201E V1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

894MHz

이득

18dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.95A

전원-출력

220W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-36260-2

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

12W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1121B

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

940MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

39W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

ARF448AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

40.68MHz

이득

15dB

전압-테스트

150V

전류 정격 (Amps)

15A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

230W

전압-정격

450V

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