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AFT09S200W02NR3

AFT09S200W02NR3

참조 용

부품 번호 AFT09S200W02NR3
PNEDA 부품 번호 AFT09S200W02NR3
설명 FET RF 70V 960MHZ PLD
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,546
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 1 - 3월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AFT09S200W02NR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AFT09S200W02NR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
AFT09S200W02NR3, AFT09S200W02NR3 데이터 시트 (총 페이지: 19, 크기: 856.97 KB)
PDFAFT09S200W02NR3 데이터 시트 표지
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AFT09S200W02NR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수960MHz
이득19.2dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.4A
전원-출력56W
전압-정격70V
패키지 / 케이스OM-780-2
공급자 장치 패키지OM-780-2

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NXP USA Inc.

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LDMOS

주파수

2.69GHz

이득

14.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

9W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-4L4L-8

공급자 장치 패키지

NI-780S-4L4L-8

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

PTFB093608FVV2R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.93GHz ~ 1.99GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

12W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

TO-270AB

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4

PD85035S-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

870MHz

이득

17dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

8A

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

15W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

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