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AFT18P350-4S2LR6

AFT18P350-4S2LR6

참조 용

부품 번호 AFT18P350-4S2LR6
PNEDA 부품 번호 AFT18P350-4S2LR6
설명 FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230
제조업체 NXP
단가
1 ---------- $1,040.4207
50 ---------- $991.6510
100 ---------- $942.8813
200 ---------- $894.1116
400 ---------- $853.4701
500 ---------- $812.8287
재고 있음 6
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AFT18P350-4S2LR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AFT18P350-4S2LR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
AFT18P350-4S2LR6, AFT18P350-4S2LR6 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 494.07 KB)
PDFAFT18P350-4S2LR6 데이터 시트 표지
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AFT18P350-4S2LR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수1.81GHz
이득16.1dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1A
전원-출력63W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-1230-4LS2L
공급자 장치 패키지NI-1230-4LS2L

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NXP USA Inc.

시리즈

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

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Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

952.5MHz ~ 957.5MHz

이득

20dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

38W

전압-정격

104V

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공급자 장치 패키지

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PD84006L-E

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LDMOS

주파수

870MHz

이득

15dB

전압-테스트

7.5V

전류 정격 (Amps)

5A

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

2W

전압-정격

25V

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