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AFT20S015GNR1

AFT20S015GNR1

참조 용

부품 번호 AFT20S015GNR1
PNEDA 부품 번호 AFT20S015GNR1
설명 FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2G
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 15,912
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 14 - 3월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AFT20S015GNR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AFT20S015GNR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
AFT20S015GNR1, AFT20S015GNR1 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 821.39 KB)
PDFAFT20S015NR1 데이터 시트 표지
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AFT20S015GNR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.17GHz
이득17.6dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트132mA
전원-출력1.5W
전압-정격65V
패키지 / 케이스TO-270BA
공급자 장치 패키지TO-270-2 GULL

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-

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1.88GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

100W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-36248-2

ARF1511

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

4 N-Channel

주파수

40.7MHz

이득

15dB

전압-테스트

380V

전류 정격 (Amps)

20A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

750W

전압-정격

500V

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

21.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

90mA

전원-출력

1.26W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PLD-1.5W

공급자 장치 패키지

PLD-1.5W

CGH60008D-GP4

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

6GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

8W

전압-정격

84V

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

MRF275G

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 N-Channel (Dual) Common Source

주파수

500MHz

이득

11.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

26A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

375-04

공급자 장치 패키지

375-04, Style 2

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