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AFT26HW050GSR3

AFT26HW050GSR3

참조 용

부품 번호 AFT26HW050GSR3
PNEDA 부품 번호 AFT26HW050GSR3
설명 FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,904
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AFT26HW050GSR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AFT26HW050GSR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
AFT26HW050GSR3, AFT26HW050GSR3 데이터 시트 (총 페이지: 21, 크기: 754.71 KB)
PDFAFT26H050W26SR3 데이터 시트 표지
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AFT26HW050GSR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수2.69GHz
이득14.2dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력9W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-780GS
공급자 장치 패키지NI-780GS

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

15.8dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37260-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

32W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-880S

공급자 장치 패키지

NI-880S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.9GHz

이득

13.3dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

320W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230S

공급자 장치 패키지

NI-1230S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

3.55GHz

이득

11dB

전압-테스트

12V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

80mA

전원-출력

4.5W

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

PTFA142401FLV4XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.5GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

2A

전원-출력

240W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-34288-2

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