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AFV09P350-04GNR3

AFV09P350-04GNR3

참조 용

부품 번호 AFV09P350-04GNR3
PNEDA 부품 번호 AFV09P350-04GNR3
설명 FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4GW
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,232
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AFV09P350-04GNR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AFV09P350-04GNR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
AFV09P350-04GNR3, AFV09P350-04GNR3 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 500.06 KB)
PDFAFV09P350-04NR3 데이터 시트 표지
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AFV09P350-04GNR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수920MHz
이득19.5dB
전압-테스트48V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트860mA
전원-출력100W
전압-정격105V
패키지 / 케이스OM-780G-4L
공급자 장치 패키지OM-780G-4L

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현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

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Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

2.3A

소음 수치

-

현재-테스트

90mA

전원-출력

6W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-538A

공급자 장치 패키지

2-CSMD

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

894MHz

이득

19.8dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

35.5W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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CE3514M4

CEL

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

12GHz

이득

12.2dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

15mA

소음 수치

0.62dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

125mW

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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