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AFV10700HR5

AFV10700HR5

참조 용

부품 번호 AFV10700HR5
PNEDA 부품 번호 AFV10700HR5
설명 RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-780-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,498
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 19 - 6월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AFV10700HR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AFV10700HR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
AFV10700HR5, AFV10700HR5 데이터 시트 (총 페이지: 19, 크기: 2,447.95 KB)
PDFAFV10700GSR5 데이터 시트 표지
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AFV10700HR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수1.03GHz ~ 1.09GHz
이득19.2dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)1µA
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력770W
전압-정격105V
패키지 / 케이스NI780-4
공급자 장치 패키지NI-780-4

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시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

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이득

15dB

전압-테스트

150V

전류 정격 (Amps)

15A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

140W

전압-정격

450V

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.03GHz

이득

18.2dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.88GHz

이득

15.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2A

전원-출력

44W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

35W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

28A

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

20W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

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