AFV141KGSR5
참조 용
| 부품 번호 | AFV141KGSR5 |
| PNEDA 부품 번호 | AFV141KGSR5 |
| 설명 | IC TRANS RF LDMOS |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,046 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 4 - 11월 9 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AFV141KGSR5 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AFV141KGSR5 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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AFV141KGSR5 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS (Dual) |
| 주파수 | 1.4GHz |
| 이득 | 17.7dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 100mA |
| 전원-출력 | 1000W |
| 전압-정격 | 105V |
| 패키지 / 케이스 | NI-1230-4S GW |
| 공급자 장치 패키지 | NI-1230-4S GULL |
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제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual), Common Source 주파수 2.14GHz 이득 14dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 10.2A 소음 수치 - 현재-테스트 170mA 전원-출력 8W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-1130B 공급자 장치 패키지 CDFM4 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 2.62GHz 이득 15dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 300mA 전원-출력 14W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-780S-4 공급자 장치 패키지 NI-780S-4 |
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제조업체 CEL 시리즈 - 트랜지스터 유형 HFET 주파수 2GHz 이득 14dB 전압-테스트 2V 전류 정격 (Amps) 120mA 소음 수치 0.45dB 현재-테스트 10mA 전원-출력 18dBm 전압-정격 4V 패키지 / 케이스 SOT-343F 공급자 장치 패키지 F4TSMM, M04 |
