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AIKW40N65DH5XKSA1

AIKW40N65DH5XKSA1

참조 용

부품 번호 AIKW40N65DH5XKSA1
PNEDA 부품 번호 AIKW40N65DH5XKSA1
설명 IC DISCRETE 650V TO247-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AIKW40N65DH5XKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AIKW40N65DH5XKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • AIKW40N65DH5XKSA1 Distributor

AIKW40N65DH5XKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)74A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 40A
전력-최대250W
에너지 전환350µJ (on), 100µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지95nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C19ns/165ns
테스트 조건400V, 20A, 15Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지PG-TO247-3-41

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

64A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

전력-최대

60W

에너지 전환

250µJ (on), 640µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

43ns/240ns

테스트 조건

480V, 9A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

RGTV00TK65GVC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전력-최대

94W

에너지 전환

1.17mJ (on), 940µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

104nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

41ns/142ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PFM, SC-93-3

공급자 장치 패키지

TO-3PFM

STGW40NC60V

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

전력-최대

260W

에너지 전환

330µJ (on), 720µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

214nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

43ns/140ns

테스트 조건

390V, 40A, 3.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

FGH40N6S2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

전력-최대

290W

에너지 전환

115µJ (on), 195µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

35nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

8ns/35ns

테스트 조건

390V, 20A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

105A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

230W

에너지 전환

430µJ (on), 350µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/80ns

테스트 조건

400V, 20A, 20Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXYH)

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