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ALD1107PBL

ALD1107PBL

참조 용

부품 번호 ALD1107PBL
PNEDA 부품 번호 ALD1107PBL
설명 MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
제조업체 Advanced Linear Devices Inc.
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ALD1107PBL 리소스

브랜드 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ALD1107PBL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ALD1107PBL, ALD1107PBL 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 121.7 KB)
PDFALD1117SAL 데이터 시트 표지
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ALD1107PBL 사양

제조업체Advanced Linear Devices Inc.
시리즈-
FET 유형4 P-Channel, Matched Pair
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs1800Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3pF @ 5V
전력-최대500mW
작동 온도0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스14-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지14-PDIP

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

39mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 10V

전력-최대

8.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1755pF @ 25V

전력-최대

60W

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1310pF @ 15V

전력-최대

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