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ALD1108ESCL

ALD1108ESCL

참조 용

부품 번호 ALD1108ESCL
PNEDA 부품 번호 ALD1108ESCL
설명 MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC
제조업체 Advanced Linear Devices Inc.
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예상 배송 3월 23 - 3월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ALD1108ESCL 리소스

브랜드 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ALD1108ESCL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ALD1108ESCL, ALD1108ESCL 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 142.27 KB)
PDFALD1110ESAL 데이터 시트 표지
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ALD1108ESCL 사양

제조업체Advanced Linear Devices Inc.
시리즈EPAD®
FET 유형4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)10V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs500Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.01V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds25pF @ 5V
전력-최대600mW
작동 온도0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOIC

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30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

390pF @ 10V

전력-최대

550mW

작동 온도

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

700pF @ 20V

전력-최대

17.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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PowerPAK® 1212-8 Dual

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

685pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-XFLGA

공급자 장치 패키지

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

51A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

78mOhm @ 25.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

140nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7000pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

STL20DN10F7

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

67mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

408pF @ 50V

전력-최대

62.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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