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ALD110902PAL

ALD110902PAL

참조 용

부품 번호 ALD110902PAL
PNEDA 부품 번호 ALD110902PAL
설명 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
제조업체 Advanced Linear Devices Inc.
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재고 있음 7,272
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ALD110902PAL 리소스

브랜드 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ALD110902PAL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ALD110902PAL, ALD110902PAL 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 105.93 KB)
PDFALD110802SCL 데이터 시트 표지
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  • ALD110902PAL Distributor

ALD110902PAL 사양

제조업체Advanced Linear Devices Inc.
시리즈EPAD®
FET 유형2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs500Ohm @ 4.2V
Vgs (th) (최대) @ Id220mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2.5pF @ 5V
전력-최대500mW
작동 온도0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지8-PDIP

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V (1kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

68A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 34A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

616nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

17400pF @ 25V

전력-최대

1250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

830mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

CSD87353Q5D

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3190pF @ 15V

전력-최대

12W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerLDFN

공급자 장치 패키지

8-LSON (5x6)

APTJC120AM25VCT1AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

AONY36352

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.3mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V, 52nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

820pF @ 15V, 2555pF @ 15V

전력-최대

3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 45W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

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