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ALD114804SCL

ALD114804SCL

참조 용

부품 번호 ALD114804SCL
PNEDA 부품 번호 ALD114804SCL
설명 MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
제조업체 Advanced Linear Devices Inc.
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재고 있음 3,456
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ALD114804SCL 리소스

브랜드 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ALD114804SCL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ALD114804SCL, ALD114804SCL 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 107.17 KB)
PDFALD114804APCL 데이터 시트 표지
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ALD114804SCL 사양

제조업체Advanced Linear Devices Inc.
시리즈EPAD®
FET 유형4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능Depletion Mode
드레인-소스 전압 (Vdss)10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs500Ohm @ 3.6V
Vgs (th) (최대) @ Id360mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2.5pF @ 5V
전력-최대500mW
작동 온도0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOIC

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta), 36A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

590pF @ 25V

전력-최대

3W (Ta), 24W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

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ON Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.6mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

295nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11535pF @ 15V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

EPM15

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EPM15

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FET 기능

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 40V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

FDS4559-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A, 3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

220pF @ 15V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SOIC

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