ALD212900ASAL
참조 용
| 부품 번호 | ALD212900ASAL |
| PNEDA 부품 번호 | ALD212900ASAL |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC |
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,456 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ALD212900ASAL 리소스
| 브랜드 | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | ALD212900ASAL |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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ALD212900ASAL 사양
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. |
| 시리즈 | EPAD®, Zero Threshold™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 10.6V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 80mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 14Ohm |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 10mV @ 20µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 30pF @ 5V |
| 전력-최대 | 500mW |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOIC |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 14A (Ta), 52A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 997pF @ 25V 전력-최대 3W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 350mA, 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.58nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7pF @ 10V 전력-최대 800mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 6-MCPH |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 8Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 12.2pF @ 3V 전력-최대 150mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 ES6 (1.6x1.6) |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10.6A (Ta), 43.6A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 733pF @ 20V 전력-최대 2.41W (Ta), 42.8W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 PowerDI5060-8 |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 44nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 2.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-XDFN 공급자 장치 패키지 6-DFN (3.05x1.77) |
