ALD212902SAL
참조 용
| 부품 번호 | ALD212902SAL |
| PNEDA 부품 번호 | ALD212902SAL |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC |
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,524 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 23 - 3월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ALD212902SAL 리소스
| 브랜드 | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | ALD212902SAL |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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ALD212902SAL 사양
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. |
| 시리즈 | EPAD®, Zero Threshold™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 10.6V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 80mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 20mV @ 10µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | 500mW |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOIC |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Power-SPM™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 73A Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 129nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6010pF @ 25V 전력-최대 - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 EPM15 공급자 장치 패키지 EPM15 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 GreenBridge™ PowerTrench® FET 유형 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V, 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.4A, 2.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 210pF @ 50V 전력-최대 2.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 12-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 12-MLP (5x4.5) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 CoolMOS™ FET 유형 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 116A Rds On (최대) @ Id, Vgs 21mOhm @ 88A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.6V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 580nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 13000pF @ 100V 전력-최대 625W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 SP6-P |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.2nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.15W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 6-TSOP |
제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A Rds On (최대) @ Id, Vgs 350mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 58nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3600pF @ 25V 전력-최대 130W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지 ISOPLUS i4-PAC™ |
