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ALD212904SAL

ALD212904SAL

참조 용

부품 번호 ALD212904SAL
PNEDA 부품 번호 ALD212904SAL
설명 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
제조업체 Advanced Linear Devices Inc.
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ALD212904SAL 리소스

브랜드 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ALD212904SAL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ALD212904SAL, ALD212904SAL 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 105.68 KB)
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ALD212904SAL 사양

제조업체Advanced Linear Devices Inc.
시리즈EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대500mW
작동 온도0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1800pF @ 50V

전력-최대

2.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23.5mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

785pF @ 15V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SI8900EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1.1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-UFBGA, CSPBGA

공급자 장치 패키지

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 10V

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