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AO3401AL

AO3401AL

참조 용

부품 번호 AO3401AL
PNEDA 부품 번호 AO3401AL
설명 MOSFET P-CHANNEL 30V 4A SOT23-3
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,002
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AO3401AL 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AO3401AL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AO3401AL, AO3401AL 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 185.72 KB)
PDFAO3401AL_DELTA 데이터 시트 표지
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AO3401AL 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs50mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs14nC @ 10V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds645pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.4W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-23-3
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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제조업체

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FET 유형

N-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

39nC @ 20V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

570pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

64W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50.6nC @ 8V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2425pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

690mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

170mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 21µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

426pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3-2

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

2SK4124-1E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

430mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

46.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

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-

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FET 유형

-

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-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

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