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AO3401AL_101

AO3401AL_101

참조 용

부품 번호 AO3401AL_101
PNEDA 부품 번호 AO3401AL_101
설명 MOSFET P-CH 30V SOT23
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,428
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 20 - 11월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AO3401AL_101 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AO3401AL_101
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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AO3401AL_101 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs44mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12.2nC @ 4.5V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1200pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.4W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-23-3
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

46mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1015pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.88W (Ta), 60W (Tj)

작동 온도

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장착 유형

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Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

280mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 430µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

950pF @ 100V

FET 기능

Super Junction

전력 손실 (최대)

32W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

72nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2130pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

19W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Single

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.2nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1350pF @ 10V

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 130µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (최대)

+5V, -16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

88W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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