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AO4405E

AO4405E

참조 용

부품 번호 AO4405E
PNEDA 부품 번호 AO4405E
설명 MOSFET P-CHANNEL 30V 6A 8SOIC
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AO4405E 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AO4405E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AO4405E, AO4405E 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 398.51 KB)
PDFAO4405E 데이터 시트 표지
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AO4405E 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs45mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs16nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds495pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.5W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-SOIC
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

44A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

190nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-264AA (IXFK)

패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

620pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta), 74W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I2PAK

패키지 / 케이스

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PSMN8R5-100PSQ

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

111nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5512pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

263W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

FCPF260N60E-F152

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SuperFET® II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

260mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

62nC @ 10V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

36W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

180pF @ 25V

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

전력 손실 (최대)

1.25W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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