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AO4482

AO4482

참조 용

부품 번호 AO4482
PNEDA 부품 번호 AO4482
설명 MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,610
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 18 - 11월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AO4482 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AO4482
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AO4482, AO4482 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 199.17 KB)
PDFAO4482L_102 데이터 시트 표지
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AO4482 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs37mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs44nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2000pF @ 50V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.1W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-SOIC
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1340pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 6.3W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

IRF6628TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

27A (Ta), 160A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.35V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

47nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3770pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta), 96W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DIRECTFET™ MX

패키지 / 케이스

DirectFET™ Isometric MX

제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

240nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

IRFPG50

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

190nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

190W (Tc)

작동 온도

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시리즈

-

FET 유형

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기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

28A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

77mOhm @ 17A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

64nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

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