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AO4818B

AO4818B

참조 용

부품 번호 AO4818B
PNEDA 부품 번호 AO4818B
설명 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 249,636
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 8 - 2월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AO4818B 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AO4818B
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AO4818B, AO4818B 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 299.3 KB)
PDFAO4818BL_101 데이터 시트 표지
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AO4818B 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs19mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs18nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds888pF @ 15V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

685pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-XFLGA

공급자 장치 패키지

4-Chip LGA (1.59x1.59)

FDC6327C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.7A, 1.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

325pF @ 10V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-6

SI6973DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

830mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

37mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

265pF @ 10V

전력-최대

510mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DFN2020-6

SI5504DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A, 2.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

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