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AO4822AL_102

AO4822AL_102

참조 용

부품 번호 AO4822AL_102
PNEDA 부품 번호 AO4822AL_102
설명 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,178
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AO4822AL_102 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AO4822AL_102
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AO4822AL_102, AO4822AL_102 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 299.34 KB)
PDFAO4822AL_102 데이터 시트 표지
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  • AO4822AL_102 Distributor

AO4822AL_102 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs19mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs18nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds888pF @ 15V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

700mA, 600mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 700mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

113pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88 (SC-70-6)

DMN2053UVT-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

369pF @ 10V

전력-최대

700mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

TSOT-26

BUK9K5R6-30EX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22.6nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2480pF @ 25V

전력-최대

64W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-1205, 8-LFPAK56

공급자 장치 패키지

LFPAK56D

SH8M13GZETB

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

APTC60DSKM35T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

72A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 5.4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

518nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14000pF @ 25V

전력-최대

416W

작동 온도

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