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AO8820

AO8820

참조 용

부품 번호 AO8820
PNEDA 부품 번호 AO8820
설명 MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,082
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 22 - 2월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AO8820 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AO8820
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AO8820, AO8820 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 200.15 KB)
PDFAO8820 데이터 시트 표지
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AO8820 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs21mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds500pF @ 10V
전력-최대1.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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Advanced Linear Devices Inc.

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드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25Ohm

Vgs (th) (최대) @ Id

20mV @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Toshiba Semiconductor and Storage

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.2Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15.1pF @ 3V

전력-최대

300mW

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

US6

SI1539DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

540mA, 420mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

480mOhm @ 590mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

SI4940DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

APTC80DDA29T3G

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2254pF @ 25V

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