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AOD206_030

AOD206_030

참조 용

부품 번호 AOD206_030
PNEDA 부품 번호 AOD206_030
설명 MOSFET N-CH TO252
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
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예상 배송 3월 23 - 3월 28 (신속 배송 선택)
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AOD206_030 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOD206_030
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AOD206_030, AOD206_030 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 245.29 KB)
PDFAOD206_030 데이터 시트 표지
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AOD206_030 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈AlphaMOS
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)18A (Ta), 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs5mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs33nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1333pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.5W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.1mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

52.1nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3639pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

810mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-251AA

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRFP440PBF

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

850mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

TK70D06J1(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.4mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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Vgs (최대)

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전력 손실 (최대)

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1.5V, 4.5V

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Vgs (th) (최대) @ Id

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0.4nC @ 4.5V

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전력 손실 (최대)

820mW (Ta)

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